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惯性微系统正在朝着三维封装集成架构发展

摘要:随着微机电系统(MEMS)的器件圆片级封装技术、垂直互连转接板技术、新键合工艺技术等技术研究的出现,惯性微系统正在朝着三维封装集成架构发展,以满足微电子技术更高集成度、更小体积、更低功耗、更低成本的发展需求。介绍了MEMS惯性器件和MEMS惯性微系统三维集成技术,硅,TSV)三维互连技术和倒装芯片技术为惯性MEMS微系统三维集成一体化提供了设计空间,有效地降低了惯性MEMS三维集成模块的体积、质量,提高了集成度,符合未来惯性MEMS三维集成多功能融合趋势的需求   微小型系统(微纳卫星、微小型飞行器、微小型地面机器人及微小型水下航行器等)及低成本制导武器(批量大、成本低、制导精度较高的各类灵巧弹药、精确制导炸弹和战术导弹)等是未来军事高科技的重要发展方向之一,也是取得未来高技术条件下战争胜利的重要手段。微小型导航、制导与控制系统是新一代微小型系统发展及低成本制导武器的核心技术,也是制约其广泛应用的主要瓶颈之一。硅基MEMS微惯性器件及结合微系统集成制造技术制作的微惯性测量单元(Micro InertialMeasurement Unit,MIMU)具有体积小、成本低、精度较高且便于大批量生产的特点,是微小型导航制导系统的共性核心技术。在精确制导化武器装备及民用领域具备广阔的应用需求,是当前的国际研究热点   近年来,三维集成技术的发展,促进了系统微封装集成技术的发展,其应用领域正由芯片向集成度、复杂度更高的系统级三维集成方向发展。采用三维集成制造技术,令每个功能模块占据一层芯片通过高密度TSV将其集成,可将由不同工艺制造的混合型芯片集成于一个系统中。这个复杂的系统包含了逻辑、存储光学、电学、射频系统,以及MEMS传感器等多个在封装内集成的模块。MEMS惯性导航系统的发展体现于MEMS惯性器件的全硅化、器件的圆片级真空/气密封装、电路专用化(Application Specific Integrated Circuit,ASIC),初步实现了惯性器件的片上系统(System on Chip,SoC)集成,以及惯导系统级封装(System in Package,SiP)集成   在未来,MEMS集成惯导系统在微纳卫星、月球车、火星车、运载火箭及小型战术武器中的应用,对MEMS惯导系统的集成度、功耗、体积、抗辐照性能及可批量制造性等提出了更高的要求,MEMS封装技术正在从2.5D向3D方向发展   据美国国防部高级研究计划局(Defense Advanced Research Projects Agency,DARPA)分析,工作时间超过10s的武器平台的导航制导目前均得到了全球定位系统(Global Positioning System,GPS)的辅助,甚至还包括工作时间为1h~24h的单兵个人导航系统。在实际使用过程中,GPS极可能被严重干扰或完全阻塞,而使得由GPS辅助的导航系统无法完成工作任务。这些现状,均要求在未来的武器平台中,使用一种全自主的、不依赖任何外部辅助手段的高集成度微型惯性导航/制导系统。根据这些分析,DARPA已经启动了一系列高集成度导航制导微系统研究计划,而微惯性导航系统的集成制造技术是其中极为重要的研究方向。其中的关键,在于如何利用先进的集成制造技术,实现惯性器件与集成电路(Integrated Circuits,ICs)等的小体积、低成本、大批量生产。此外,惯性器件的正交集成已成为了MEMS封装集成发展的瓶颈   MEMS惯性器件必须与集成电路结合才能有效工作,集成电路用于实现MEMS传感器与外界之间的通信,起到信号调节功能,例如模数转换、放大滤波和信息处理电路等。因此,绝大多数商用MEMS惯性产品(加速度计   )和IC组件被集成或封装在一起,以实现更短的信号路径长度、更小的寄生电容、更低的互连电阻、更小的封装尺寸/体积。MEMS和IC组件的集成和封装可通过多种可能的方法实现,对其的技术选择很大程度上取决于设备、应用领域和商业要求。基于制造技术的发展,为满足移动电子设备和高端芯片的需求,存储      及MEMS等器件模块正在朝着三维架构方向发展,成为了“超越摩尔”技术的重要技术领域,如图1所示。为了满足MEMS惯性器件对小型化、轻质化、高性能、高可靠性的需求,国际MEMS惯性领域中的领先企业、研究机构等(如德国Bosch公司、美国mCube公司、德国弗朗恩霍夫研究所等)均对惯性MEMS三维集成技术开展了一系列研究。MEMS惯性器件与IC组件的封装集成,实现了从多芯片模组(Muli-chip Modules,MCM)到SiP技术、SoC技术再到圆片级芯片封装(Wafer Level Chip Scale Package,WLCSP)技术、三维堆叠集成技术的发展,实现了从独立设计、制造和测试的板级集成,向基于晶圆级单片的系统级芯片解决方案集成技术,以及三维异构集成技术的发展,如图2所示   就国际上己经公开的惯性MEMS三维集成技术而言,其大致可被划分为3种,如图3所示:1)惯性MEMS芯片与MEMS专用ASIC芯片层叠,利用引线颗芯片之间的电气连接。2)在制造过程中,惯性MEMS圆片与MEMS专用集成电路IC圆片两者键合,实现芯片层叠与电气连接。通常采用一种横向电极引出的封装集成技术方案,直接使用ASIC中的金属引线作为跨越封装内外的电学引出导线)基于TSV技术的惯性MEMS三维集成(如WLCSP技术)成为了MEMS微系统尺寸减小、集成度提高的有效技术手段,使得MEMS微系统的3D硅通孔互联技术取得了产品化的突破。以上3种三维集成方式,实现了惯性MEMS芯片到芯片(Chip to Chip,C2C)、芯片到晶圆(Chip to Wafer,C2W)及晶圆到晶圆(Wafer to Wafer,W2W)的堆叠集成,实现了惯性器件的商业/军事应用   美国国防部在20世纪90年代末率先采用异构集成技术,将微电子器件、MEMS器件整合集成在一起,开发出了集成微系统的新概念。它的核心是按武器装备功能发展的需求,将多种先进元器件通过异构集成技术,以三维集成的结构形式大幅度降低导航系统的体积、功耗,使其易于批量化制造,尤其可满足新型战术武器的需求。MEMS的多轴传感器经历了传统集成方式、立体集成方式和平面集成方式后,正朝着微系统集成的方向发展,如图4所示   2010年,美国加州大学Irvine分校报道了Draper实验室的折叠芯片结构惯性测量单元(Inertial Measurement Unit,IMU),该研究给出了六面体结构和金字塔结构2种技术方案,如图5所示。独立的传感器采用绝缘衬底上的硅晶圆(Silicon on Insulator,SOI)工艺技术制备,6轴惯性仪表分布于立方体的六面,通过柔性连接板实现单片集成,同时形成了用于固定折叠结构的闩   结构,得到了3维IMU微系统,其体积小于1cm3。出于对六面体结构机械稳定性的考虑,同时研究了采用树脂和焊料加固折叠金字塔的效果。经测试,前者的传感器轴变动在4mrad之内,后者改进到了0.2mrad之内。该方案实现了6轴IMU的单片集成,但该集成方案限制了MEMS的仪表加工制备工艺,同时多传感器单片集成的成品率也较低   和技术会议中报道了基于TSV转接板的惯性MEMS三维集成技术概念,该项目得到了欧盟政府部门的支持,其核心思想是利用TSV转接板作为公共衬底平台,如图6所示。TSV硅转接板是指含有TSV互连的硅圆片,其上下表面制作了重新布线层,利用微凸点在TSV转接板上组装惯性MEMS芯片及MEMS专用IC芯片   基于TSV转接板的惯性MEMS三维集成技术可以发挥TSV转接板在热膨胀系数失配、线宽匹配等方面的优势,释放了传统惯性MEMS三维集成技术对MEMS专用IC在可选工艺制程方面的束缚,为惯性MEMS芯片的低   组装提供了设计空间,允许其集成更多功能芯片,具有开放性的特点、优点,如图7所示。目前,制造技术已经能够满足一般的应用要求,但是相比与三维集成制造相关的三维集成设计方法、器件可靠性、散热、多功能材料和器件集成等方面的需求,仍存在一定的差距。围绕这些问题,三维集成技术将在模型模拟、设计方法、可靠性评估和改进、系统可测试性信号设计、散热优化和提高效率,以及三维集成制造能力、良率和成本控制等方面,进行深入研究   由于惯性MEMS芯片的厚度一般在300μm以上,为了匹配惯性MEMS芯片与TSV转接板的机槭强度,TSV转接板的厚度通常需要大于或等于200μm。同时,由于铜TSV互连与周围硅衬底的热膨胀系数失配,铜TSV的互连直径通常被控制为小于或等于20μm,TSV互连的深宽比大于或等于10,这对目前的TSV技术是个较大的挑战。为了克服传统铜TSV转接板在惯性MEMS芯片三维集成应用过程中的上述问题,国际MEMS领域中的领先企业   公司、Bosch公司、mCube公司、Silex公司、Fairchild公司等)均对MEMS三维集成技术开展了一些研究。Silex公司在2008年推出了标准硅通孔工艺,其通孔采用绝缘填埋技术,用重掺杂低阻硅作为电极导体,导通电阻在1D量级,如图8(a)所示。随后,该公司提出了一种基于玻璃熔融回流的硅通孔技术,如图8(b)所示。其技术特点是在硅片上刻蚀以形成单晶硅TSV硅柱阵列,并在四周刻蚀以形成隔离环,利用阳极键合在刻蚀面键合玻璃片,在高温退火炉中加热至玻璃熔融,在真空作用下将其回流至隔离环内。经过后续的硅减薄、玻璃减薄、化学机械抛光(Chemical and Mechanical Polishing,CMP)等工艺流程的处理,最终形成硅转接板。该技术有效地增加了绝缘介质层的厚度,有效减少了各引脚之间的寄生电容。但是,该工艺复杂,技术难度大,玻璃回填深宽比有限。以上2种技术方案均采用了硅互连通孔(Silicon Via,Sil-via)实现垂直互连。2012年,借助该技术Silex公司实现了2.5D硅转接板的研制,其中BGA植球用TSV的孔径为50μm,间隔为150μm。同样使用低阻硅实现垂直互连的转接板方案有穿玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)技术,如图8(c)所示。该技术同样采用玻璃熔融工艺,其特点是在玻璃晶圆内与刻蚀有硅柱的硅晶圆键合,将其高温加热至玻璃熔融,使得硅柱填埋入玻璃晶圆内。该工艺难度相对较小,转接板厚度可达200μm及以上。但是,采用该技术制备的转接板的基底材料为玻璃,无法解决硅-玻璃之间热膨胀系数差异的问题。Schott Hermes采用该技术实现了MEMS-ICs的WLCSP集成   为满足不同器件的集成需求,瑞典ACC Microtec公司和Silex公司开发了金属通孔(Metal Via,Met-Via)技术,如图8(d)所示。其特点在于与常规TSV相比,该技术可以在厚度为300μm~800μm的硅片上制作转接板,转接板刚度大,尤其适合对应力敏感的MEMS传感器的三维集成。然而,该技术采用铜电镀制作TSV电极引出子,和普通金属化TSV技术一样存在长期可靠性的问题   -collapse Chip Connection)和C2(Chip Connection)2种,如图9所示。基于C4的倒装技术的应用已超过了50年,表面张力的作用使得C4在回流过程中可实现自对准。但是,由于芯片引脚数急剧增加,引脚间距減小,回流焊可能会使相邻的焊料C4凸点短路。因此,在应用C4技术时,凸点间距一般不得小于50μm。C2则更适合于更精细的间距的芯片键合。由于铜的高导热性和低电阻率,C2较C4的电、热性能均更好。C2倒装键合般包括回流焊和热压键合2种方式   的芯片集成。集成基底为厚度100μm的硅转接板,TSV的通孔直径10μm,有4层再布线μm,集成现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)单芯片凸点数超过了5000个微凸点间距仅为45μm,如图10所示   从国内外领先的MEMS及微系统集成研究成果可以发现,集成工艺设计对MEMS器件的整体性能至关重要,MEMS三维集成技术研究是该领域研究中的一个重要环节,对于提升MEMS微系统研究水平、推动MEMS应用、完善惯性MEMS器件产业链的发展具有重要意义   MEMS垂直互连技术通过提供垂直贯穿转接板,为MEMS芯片、信号处理/解算电路、控制芯片、电源芯片等立体化集成提供了便利,允许集成元器件由采用不同工艺制造的功能芯片集成于TSV转接板衬底上,开放性好,符合未来惯性维集成多功能融合趋势的需求。综合考虑基于TSV的惯性MEMS三维集成技术的特点与发展趋势,以及国内惯性MEMS器件及TSV互连技术研究布局与特点,基于TSV转接板的惯性MEMS三维集成技术将是国内开展惯性MEMS维集成研究的优选切入点。该技术有效減少了MEMS三维集成模块的体积/质量,提高了集成度可以有效降低惯性MEMS三维集成模块的体积质量、热应力水平等,将成为未来惯性MEMS三维集成TSV互连技术发展的重要方向   文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处   中国已经成功进军全球首条5nm芯片的生产线日报道,根据中国芯片制造企业台积电公布的数据显示,其今年前11个月共营收305.5亿...   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Cerebras Systems宣布推出有史以来最大的芯片Wafer Scale Engine   大多数芯片是在12英寸硅晶圆上制造的,并在芯片工厂中批量处理。但Cerebras Systems芯片...   目前,三星电子和台积电是全球领先的晶圆代工厂。他们占有约70%的市场份额,正在开发3nm和7nm E...   [table] [tr][td]我公司做XILINX电子商务销售十余年,只是从事销售,个人浅薄知识分享: 大家都清楚C代表的是商用级、I..   由于互联网巨头数据中心内部流量每年增长幅度接近100%,不少部署数据中心较早的互联网巨头,会谋求尽快获得200G,但也有不少企业..   想找一个芯片,不知道有没有这种芯片, 功能是8路或者16路的数字量输入(超过16路的也行),然后输出只有1路,输出内容是把输入..   这两种程序我都见过,但不知道为什么同样是调用DLL文件,会有不同的方法,我看网上调用C#做的DLL都是用构造器节点,难道是..   大佬些,我用ACS-712芯片,20安的测电流,现在情况是这样,没通交流电时芯片输出是2.5伏,通上交流电时,芯片输出端仍然是2.5..   2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ..   0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图..   39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚   V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ..   4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员..   4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图..   4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图..   0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。..   NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR   5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图..   4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图..   NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR   5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图..   4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图..   4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图..   4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图..   2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过..   0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E..   MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图..   80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图..   1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,月亮棋牌安卓版可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图..   是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品   是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装.. 月亮棋牌 月亮棋牌app 月亮棋牌手机版官网 月亮棋牌游戏大厅 月亮棋牌官方下载 月亮棋牌安卓免费下载 月亮棋牌手机版 月亮棋牌大全下载安装 月亮棋牌手机免费下载 月亮棋牌官网免费下载 手机版月亮棋牌 月亮棋牌安卓版下载安装 月亮棋牌官方正版下载 月亮棋牌app官网下载 月亮棋牌安卓版 月亮棋牌app最新版 月亮棋牌旧版本 月亮棋牌官网ios 月亮棋牌我下载过的 月亮棋牌官方最新 月亮棋牌安卓 月亮棋牌每个版本 月亮棋牌下载app 月亮棋牌手游官网下载 老版月亮棋牌下载app 月亮棋牌真人下载 月亮棋牌软件大全 月亮棋牌ios下载 月亮棋牌ios苹果版 月亮棋牌官网下载 月亮棋牌下载老版本 最新版月亮棋牌 月亮棋牌二维码 老版月亮棋牌 月亮棋牌推荐 月亮棋牌苹果版官方下载 月亮棋牌苹果手机版下载安装 月亮棋牌手机版 月亮棋牌怎么下载

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